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CJL6602实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJL6602

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V

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描述
CJL6602采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。互补MOSFET构成高速功率逆变器,适用于多种应用。
商品型号
CJL6602
商品编号
C504155
商品封装
SOT-23-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.041克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))135mΩ@10V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))600mV
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)390pF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个3000个/圆盘

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