温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CJW1012
1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，以优化RDS(ON)
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJW1012
- 商品编号
- C504138
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 275mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，以优化 RDS(on)。
商品特性
- 高端开关
- 低导通电阻
- 低阈值
- 快速开关速度
- ESD保护
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关 手机、寻呼机