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CJ3139KDW
2个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- 这款双P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，以优化导通电阻。封装内包含两个P沟道MOSFET（相互独立）。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJ3139KDW
- 商品编号
- C504141
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款双P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，以优化导通电阻RDS(ON)。 一个封装中包含两个P沟道CJ3139K MOSFET（相互独立）。
商品特性
~~- 高端开关-低导通电阻-低阈值-快速开关速度
应用领域
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关 手机、寻呼机