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UM6K1N
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
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- 描述
- 特性：一个封装中包含两个2SK3018晶体管。 MOS FET元件相互独立，消除相互干扰。 可将安装成本和面积减半。 低导通电阻。 低电压驱动（2.5V驱动），适用于便携式设备
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- UM6K1N
- 商品编号
- C504139
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4V；6Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品特性
- 一个封装内包含两个2SK3018晶体管。
- MOS FET元件相互独立，可消除相互干扰。
- 可将安装成本和面积减半。
- 导通电阻低。
- 低电压驱动（2.5V驱动），使该器件非常适合便携式设备。