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CJMP2011
1个P沟道 耐压:20V 电流:11A
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- 描述
- CJMP2011采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用以及其他各种应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJMP2011
- 商品编号
- C504123
- 商品封装
- DFNWB2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V；22mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF |
商品概述
CJMP2011采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。 该器件适用于负载开关应用及其他多种应用。
商品特性
-先进的沟槽MOSFET工艺技术-超低导通电阻与低栅极电荷
应用领域
-PWM应用-负载开关-手机电池充电