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CJQ07N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:7A
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- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJQ07N10
- 商品编号
- C504126
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.973克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.848nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 276pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
应用领域
- 次级同步整流器
- LED电视背光源