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CJMN2012
1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET-小封装。应用：便携式应用的负载开关
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJMN2012
- 商品编号
- C504122
- 商品封装
- DFNWB2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@1.8V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
- 小型封装DFNWB2×2-6L-J
应用领域
- 便携式应用的负载开关