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CJM1206
1个P沟道 耐压:12V 电流:6A
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- 描述
- CJM1206采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用及其他多种应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJM1206
- 商品编号
- C504118
- 商品封装
- DFNWB-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
CJM1206采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。 该器件适用于负载开关应用及其他各种应用。
商品特性
- 先进的沟槽MOSFET工艺技术-超低导通电阻和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用-负载开关-手机电池充电