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STFI6N65K3
1个N沟道 耐压:650V 电流:5.4A
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- 描述
- 这些SuperMESH3™功率MOSFET是SuperMESH™技术改进的成果，并结合了全新优化的垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，使其适用于要求最为严苛的应用场景。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFI6N65K3
- 商品编号
- C500995
- 商品封装
- TO-281-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@500V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些SuperMESH 3™功率MOSFET是在SuperMESH™技术基础上改进并结合新型优化垂直结构的成果。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，使其适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用