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STI6N80K5

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:800V 电流:4.5A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET,I2PAK封装

  • 品牌名称ST(意法半导体)
  • 商品型号

    STI6N80K5
  • 商品编号

    C501005
  • 商品封装

    TO-262(I2PAK)
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    2.66克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.3Ω@10V,2A
功率(Pd)85W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)270pF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)0.7pF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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