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STI6N80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:4.5A
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- 描述
- N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET，I2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI6N80K5
- 商品编号
- C501005
- 商品封装
- TO-262(I2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.7pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
FDMS7670AS专为最大限度降低功率转换应用中的损耗而设计。结合了硅和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，提供最低的漏源导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 21 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 3.0 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 7 V、漏极电流（ID） = 19 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 3.2 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低漏源导通电阻（rDS(on)）和高效率
- 同步场效应晶体管肖特基体二极管
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/ GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信次级侧整流