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STL57N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:22.5A
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- 描述
- N沟道650 V、0.061 Ohm典型值、22.5 A MDmesh M5功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL57N65M5
- 商品编号
- C501013
- 商品封装
- PowerFLAT(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.244克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@10V,17.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 189W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最低品质因数导通电阻（R_ON）×栅极电荷（Q_g）
- 极高的dv/dt额定值
- 高峰值电流能力
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- TO247封装中全球最佳的导通态漏源电阻（RDS, on）
- 超低栅极电荷
应用领域
-准谐振反激/正激拓扑-电脑主机及消费类应用-工业开关电源