STP4LN80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:3A
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描述
N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STP4LN80K5商品编号
C501040商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.76克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.1Ω@10V,1A | |
功率(Pd) | 60W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.7nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 122pF@100V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 0.3pF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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