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STP15NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:14A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP15NM60ND
- 商品编号
- C501025
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@50V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
FDmesh™ II 系列属于 MDmesh™ 技术的第二代产品。这款创新型功率 MOSFET 将新型垂直结构与该公司的条形布局相结合，将降低导通电阻和快速开关的所有优势与本征快速恢复体二极管相结合。强烈推荐用于零电压开关（ZVS）移相转换器中的桥式拓扑结构。
商品特性
- 仅受允许的最高温度限制
- 在快速恢复二极管器件中，具有全球最佳的导通电阻（RDS(on)）与面积乘积
- 经过 100% 雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的 dv/dt 和雪崩能力
应用领域
- 开关应用