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STP33N60DM6
1个N沟道 耐压:600V
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- 描述
- N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP33N60DM6
- 商品编号
- C501033
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 128mΩ@10V,12.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh™ K5技术设计。其成果是显著降低了导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 业界最低的漏源导通电阻 (RDS(on)) 与芯片面积乘积
- 业界最优品质因数 (FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
-开关应用