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STL8N80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:4.5A
- 描述
- N沟道800 V、0.8 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 VHV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL8N80K5
- 商品编号
- C501014
- 商品封装
- PowerFlat-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@640V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道齐纳保护功率MOSFET采用意法半导体（ST）突破性的耐雪崩超高压SuperMESH™ 5技术设计，该技术基于一种创新的专有垂直结构。这使得导通电阻大幅降低，并且栅极电荷极低，适用于对功率密度和效率有较高要求的应用。
商品特性
- 出色的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 全球最佳的品质因数(FOM)
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用