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STP11NM60FDFP
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP11NM60FDFP
- 商品编号
- C501023
- 商品封装
- TO-220FPAB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
FDMesh™ 将低导通电阻、快速开关的优势与本征快速恢复体二极管相结合。因此，强烈推荐用于桥接拓扑结构，特别是零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 高 dv/dt 和雪崩能力
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 严格的工艺控制和高成品率
应用领域
- 开关应用
- TO-220
- TO-220FP
- D2PAK
- I2PAK