温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL140N4LLF5
1个N沟道 耐压:40V 电流:140A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL140N4LLF5
- 商品编号
- C501009
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.75mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE6080A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 80A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 6.5 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 7.5 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）
- 负载开关