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STI6N95K5
1个N沟道 耐压:950V 电流:9A
- 描述
- N沟道950 V、1 Ohm典型值、9 A有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI6N95K5
- 商品编号
- C501006
- 商品封装
- TO-262(I2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@760V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmeshTM K5 技术设计。其成果是显著降低了导通电阻,并实现了超低栅极电荷,适用于对功率密度和效率有较高要求的应用。
商品特性
- 业界最低的RDS(ON)x 面积
- 业界最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用