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STI6N95K5
1个N沟道 耐压:950V 电流:9A
- 描述
- N沟道950 V、1 Ohm典型值、9 A有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI6N95K5
- 商品编号
- C501006
- 商品封装
- TO-262(I2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@760V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。 IRF6775MPbF器件采用了DirectFET封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比，DirectFET封装技术具有更低的寄生电感和电阻。较低的电感通过减少快速电流瞬变时伴随的电压振铃来改善EMI性能。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装还支持双面散热，以最大限度地提高电源系统中的热传递，改善热阻和功率耗散。这些特性相结合，使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
商品特性
- 业界最低的RDS(ON)x 面积
- 业界最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用