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STL130N6F7
1个N沟道 耐压:60V 电流:130A
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- 描述
- N沟道60 V、3 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL130N6F7
- 商品编号
- C501008
- 商品封装
- PowerFLAT-5x6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 业界最低的漏源导通电阻（RDS(on)）×面积
- 业界最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用