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STFU15N80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:14A
- 描述
- N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP超窄引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFU15N80K5
- 商品编号
- C500999
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 375mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用STripFET™ F5技术开发，并经过优化以实现极低的导通电阻，有助于实现同类产品中最佳的品质因数（FoM）。
商品特性
-低导通电阻RDS(ON)-高雪崩耐量-低栅极驱动功率损耗
应用领域
-开关应用