温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFI4212H-117P
2个N沟道 耐压:100V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。采用最新工艺实现每单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。这些特性使该半桥成为D类音频放大器应用中高效、强大且可靠的器件。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFI4212H-117P
- 商品编号
- C500534
- 商品封装
- TO-220F-5(Forming)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72.5mΩ@10V,6.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh™ DM6 快速恢复二极管系列。与上一代 MDmesh 产品相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并且单位面积的导通状态漏源电阻（RDS(on)）有显著改善，同时具备市场上针对高要求高效桥拓扑和 ZVS 移相转换器的最有效的开关特性之一。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，单位面积的导通状态漏源电阻（RDS(on)）更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用