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BSP372NH6327
1个N沟道 耐压:100V 电流:1.8A
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- 描述
- 特性：N 沟道。增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。100% 无铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP372NH6327
- 商品编号
- C501499
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 329pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 逻辑电平(额定4.5V)
- 雪崩额定
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求