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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP075N15N3G

1个N沟道 耐压:150V 电流:100A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(FOM)乘积。 极低的导通电阻。 175°C工作温度。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
商品型号
IPP075N15N3G
商品编号
C501517
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.88克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))7.2mΩ@10V,100A
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)93nC@10V
输入电容(Ciss)5.47nF@75V
反向传输电容(Crss)10pF@75V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • N沟道,常电平
  • 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 工作温度达175°C
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
  • 适用于高频开关和同步整流
  • 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册PDF