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IPB60R099CP

1个N沟道 耐压:600V 电流:31A

商品型号
IPB60R099CP
商品编号
C501511
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1.58克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)31A
导通电阻(RDS(on))99mΩ@10V,18A
耗散功率(Pd)255W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)2.8nF@100V
反向传输电容(Crss)340pF@480V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • TO263封装中全球最佳的导通电阻(Rds,on)
  • 超低栅极电荷
  • 极高的dv/dt额定值
  • 高脉冲电流能力
  • 符合JEDEC工业级应用标准
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准;无卤模塑料

应用领域

  • 服务器和电信领域的硬开关开关电源(SMPS)拓扑

数据手册PDF