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IPP65R190CFD
1个N沟道 耐压:700V 电流:17.5A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP65R190CFD
- 商品编号
- C501516
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.826克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,7.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 151W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS™ CFD2 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流创新。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时提供极快速且稳健的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与最高的稳健性相结合，尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热更佳。
商品特性
- 超快体二极管
- 极高的换相耐用性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
- 易于使用/驱动
- 根据 JEDEC（J - STD20 和 JESD22）标准，适用于工业级应用
- 无铅镀层，无卤模塑料
应用领域
- 650V CoolMOS™ CFD2 特别适用于谐振开关 PWM 级，例如 PC 电源、液晶电视、照明、服务器和电信领域。
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