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BSC047N08NS3G
1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。N沟道，正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC047N08NS3G
- 商品编号
- C501500
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流
- 针对DC/DC转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻
- N沟道，常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求