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IRFI4019H-117P
2个N沟道 耐压:150V 电流:8.7A
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- 描述
- 专为D类音频放大器应用设计。由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。使用最新工艺以实现每单位硅面积的低导通电阻。优化了栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真 (THD) 和电磁干扰 (EMI)。这些特性使半桥成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFI4019H-117P
- 商品编号
- C500535
- 商品封装
- TO-220F-5(Forming)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.486克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,5.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 810pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。采用最新工艺，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，还对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。这些特性相结合，使这款半桥成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
~~- 集成半桥封装-减少一半的元件数量-便于更好的PCB布局-针对D类音频放大器应用优化关键参数-低导通电阻RDS(ON),提高效率-低栅极电荷Qg和开关电荷Qsw,改善THD并提高效率-低反向恢复电荷Qrr,改善THD并降低EMI-在半桥配置放大器中,每通道可向8Ω负载提供高达200W的功率-无铅封装