温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN335N-SL
20V/1.7A N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(on)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 该器件无铅且无卤素。应用：DC-DC转换器。 负载开关
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- FDN335N-SL
- 商品编号
- C48971103
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 该器件无铅且无卤素
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关