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SL30N50P
500V N沟道MOSFET
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术生产。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于开关模式操作中的AC/DC电源转换，以提高效率。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL30N50P
- 商品编号
- C48971172
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.733333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 298W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 415pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了硕凯(Slkor)先进的平面条纹DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计,可最大程度降低导通损耗,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于开关模式操作的AC/DC电源转换,以实现更高的效率。
商品特性
- 30A、500V,VGS = 10V时,RDS(on)典型值 = 150mΩ
- 低栅极电荷(典型值72nC)
- 低Crss(典型值13pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力