温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SL4616A
30V N沟道和P沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：采用沟槽功率低压MOSFET技术。 高密度单元设计，实现低导通电阻（RDS(ON)）。 高速开关。应用：电池保护。 电源管理
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL4616A
- 商品编号
- C48971104
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1702克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF；1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF；134pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 179pF；110pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用。
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护
- 电源管理
- 负载开关
相似推荐
其他推荐