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NTTFS015N04CTAG-HXY
N沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至12mΩ，栅源电压VGS为±20V。该器件采用高性能硅工艺，具备较低的导通损耗和高效的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高密度电源系统中。其封装设计便于散热与集成，可在多种高要求电路环境中稳定工作，提供可靠的能量传输表现。
- 商品型号
- NTTFS015N04CTAG-HXY
- 商品编号
- C48783745
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.060606克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |