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S120N04D
SGT,单N,30V/120A
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- 描述
- 工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1.2～2.2，导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.1/2.8，连续漏极电流ID(A):120A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S120N04D
- 商品编号
- C47665714
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 560pF |
商品特性
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(ON) 的高密度单元设计
应用领域
- 负载开关
- PWM 应用
- 电源管理