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80N06T
沟槽,单N,60V/80A
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- 描述
- 工艺:沟槽，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):60，阈值电压VGS:±25，Vth(V):2～4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.3，连续漏极电流ID(A):80A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 80N06T
- 商品编号
- C47665448
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7428克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品特性
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(ON) 的高密度单元设计
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