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S120N10T
SGT,单N,100V/120A
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- 描述
- 工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):2～4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):4.1/5，连续漏极电流ID(A):120A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S120N10T
- 商品编号
- C47665449
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.79475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 592pF |
商品概述
AO4882-TD 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 AO4882-TD 符合 RoHS 标准，属于绿色环保产品。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源