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6G02L
沟槽,N+P,20V/6.3A|-20V,-4.1A
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- 描述
- 工艺:沟槽，类型:N+P，漏源电压(Vdss) (V):20/-20，阈值电压VGS:±12，Vth(V):±0.4～±1.2，导通电阻RDS(ON) (mΩ):17/30，连续漏极电流ID(A):6.3A/-4.1A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 6G02L
- 商品编号
- C47665725
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V；30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V；700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V；4.6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 310pF；830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF；35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF；132pF |
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 100%保证抗雪崩能力
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术