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HL8205
沟槽,N+N,20V/6A
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- 描述
- 工艺:沟槽，类型:N+N，漏源电压(Vdss) (V):20，阈值电压VGS:±12，Vth(V):0.4～1，导通电阻RDS(ON) (mΩ):20/26，连续漏极电流ID(A):6A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- HL8205
- 商品编号
- C47665726
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04976克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.07W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 150V、263A，RDS(on)（典型值）= 3.3 mΩ（VGS = 10 V 时）
- 出色的 RDS(on) 和低栅极电荷
- 先进的沟槽技术
- 100% 保证 EAS
应用领域
- 电动工具、电动车、机器人中的电机驱动
- DC/DC 与 AC/DC（同步整流）子系统中的电流开关
- 电信、工业自动化、消费电子中的电源管理