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HL8205A
沟槽,N+N,20V/6A
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- 描述
- 工艺:沟槽，类型:N+N，漏源电压(Vdss) (V):20，阈值电压VGS:±12，Vth(V):0.4～1，导通电阻RDS(ON) (mΩ):18.5/23，连续漏极电流ID(A):6A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- HL8205A
- 商品编号
- C47665727
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.07W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 结温 175 °C
- 沟槽技术功率 MOSFET
- N 沟道 MOSFET