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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2P15S

沟槽,单P,-150V/-1.6A

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描述
工艺:沟槽,类型:P,漏源电压(Vdss) (V):-150,阈值电压VGS:±20,Vth(V):-2~-4,导通电阻RDS(ON) (mΩ):650/700,连续漏极电流ID(A):-1.6A
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
2P15S
商品编号
C47665721
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.205567克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on))780mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.8nC@10V
输入电容(Ciss)706pF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)23pF

商品特性

  • 120V、90A,RDS(on)(典型值)= 6.0 mΩ,VGS = 10 V
  • 出色的RDS(on)和低栅极电荷
  • 先进的沟槽技术
  • 100%保证EAS

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 高频开关与同步

数据手册PDF