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2P15D
沟槽,单P,-150V/-2.2A
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- 描述
- 工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-150，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):650/700，连续漏极电流ID(A):-2.2A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 2P15D
- 商品编号
- C47665722
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10858克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 988pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证抗雪崩能力
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理