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S80N04D
SGT,单N,40V/80A
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- 描述
- 工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1～2.2，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.4/4.1，连续漏极电流ID(A):80A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S80N04D
- 商品编号
- C47665719
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 455pF |
商品概述
50N06-TD是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 50N06-TD符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- Bvdss:40V
- Rdson:3.4mΩ
- ID:80A
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用