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7P20
沟槽,单P,-200V/-7A
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- 描述
- 工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-200，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):645，连续漏极电流ID(A):-7A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 7P20
- 商品编号
- C47665720
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4802克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 838mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.145nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49.3pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术