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20G10F
沟槽,N+P,100V/15A|-100V,-7A
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- 描述
- 工艺:沟槽，类型:N+P，漏源电压(Vdss) (V):100/-100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):±1.2～±2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):65/180，连续漏极电流ID(A):15A/-7A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 20G10F
- 商品编号
- C47665715
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17282克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证抗雪崩能力
应用领域
- 半桥和逆变器中的电源管理
- 负载开关
- DC-DC转换器