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35N10

沟槽,单N,100V/35A

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描述
工艺:沟槽,类型:N,漏源电压(Vdss) (V):100,阈值电压VGS:±20,Vth(V):0.8~1.6,导通电阻RDS(ON) (mΩ):25/26,连续漏极电流ID(A):35A
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
35N10
商品编号
C47665718
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.47676克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))32.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)42W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)60nC@4.5V
输入电容(Ciss)90pF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)74pF

商品特性

  • 超低栅极电荷
  • 提供环保型器件
  • 出色的Cdv/dt效应抑制能力
  • 先进的高单元密度沟槽技术

应用领域

  • 电动工具、电动车、机器人中的电机驱动
  • DC/DC 和 AC/DC(同步整流)子系统中的电流切换
  • 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理

数据手册PDF