35N10
沟槽,单N,100V/35A
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- 描述
- 工艺:沟槽,类型:N,漏源电压(Vdss) (V):100,阈值电压VGS:±20,Vth(V):0.8~1.6,导通电阻RDS(ON) (mΩ):25/26,连续漏极电流ID(A):35A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 35N10
- 商品编号
- C47665718
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47676克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 90pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电动工具、电动车、机器人中的电机驱动
- DC/DC 和 AC/DC(同步整流)子系统中的电流切换
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
