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10G10S
沟槽,N+P,100V/10A|-100V,-5A
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- 描述
- 工艺:沟槽，类型:N+P，漏源电压(Vdss) (V):100/-100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):±1.2～±2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):70/180，连续漏极电流ID(A):10A/-5A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 10G10S
- 商品编号
- C47665716
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.217933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证耐雪崩能力
- 提供环保型器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 半桥和逆变器中的电源管理
- 负载开关
- DC-DC转换器