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CMB011N04L-7
N沟道 40V 200A
- 描述
- MOS管，TO-263-7L,N沟道，耐压：40V,电流：200A,10V内阻：0.0012mΩ,4.5V内阻：0.0016mΩ,功率：300W，Ciss（Typ）：7300pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB011N04L-7
- 商品编号
- C45385079
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CMB011N04L-7采用先进的SGT技术,可提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合大电流开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流电机驱动
- 不间断电源
- 高速功率开关