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CMD60R360D
N沟道 600V 11A
- 描述
- COOLMOS，TO-252，N沟道，耐压：600V,电流：11A,10V内阻：0.36mΩ, 功率：85W，Ciss（Typ）：500pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD60R360D
- 商品编号
- C45385087
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3785克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
60R360D 是一款采用 Cmos 先进超结技术的功率 MOSFET,可实现极低的导通电阻、栅极电荷和较低的振铃倾向。因此,其开关损耗极低,非常适合开关应用。此外,这些用户友好型器件通过集成齐纳二极管,具备更高的耐用性和出色的 ESD 能力,是设计师的理想之选。
商品特性
- 多层外延芯片技术
- 低导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 适配器
- PFC 电源级
- DC-DC 转换器