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CMSC36368
N沟道 25V 40A
- 描述
- MOS管，DFN-8 3.3x3.3，N沟道，耐压：25V,电流：40A,10V内阻：0.0045mΩ,4.5V内阻：0.0066mΩ,功率：30W，Ciss（Typ）：1250pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC36368
- 商品编号
- C45385350
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
CMSC36368采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。适用于DC/DC转换器和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
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