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CMF30N25
N沟道 250V 30A
- 描述
- MOS管，TO-220F，N沟道，耐压：250V,电流：30A,10V内阻：0.12mΩ, 功率：60W，Ciss（Typ）：2600pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF30N25
- 商品编号
- C45385089
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.768克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合照明应用中的转换器。250V、典型值90mΩ、30A的N沟道MOSFET
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 照明
- 不间断电源