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CMF4N150
N沟道 1500V 4A
- 描述
- MOS管，TO-220F，N沟道，耐压：1500V,电流：4A,10V内阻：4.5mΩ, 功率：40W，Ciss（Typ）：2000pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF4N150
- 商品编号
- C45385090
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.797克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
4N150采用先进的平面条形DMOS技术和设计,以提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源