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CMSC130N10
N沟道 100V 50A
- 描述
- MOS管，DFN-8 3.3x3.3，N沟道，耐压：100V,电流：50A,10V内阻：0.013mΩ,4.5V内阻：0.018mΩ,功率：55W，Ciss（Typ）：1000pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC130N10
- 商品编号
- C45385349
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0635克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 510pF |
商品概述
CMSC130N10采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合在小空间内需要超低RDS(ON)的应用，如高性能VRM、POL和或门功能。
商品特性
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 桥式拓扑结构
- 同步整流器
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